苹果 M1 Ultra 芯片使用了集成 InFO芯片

台积电：苹果 M1 Ultra 芯片使用了集成 InFO芯片

之前，在 M1 Ultra 官方发布会上，苹果介绍其 Mac Studio 中的 M1 Ultra 时表示，这是最强大的定制 Apple Silicon，它使用 UltraFusion 芯片对芯片互连技术，从而实现了 2.5TB / s 的带宽，从苹果对其的介绍来看，这涉及到两个 M1 Max 芯片协同工作的问题。

而近日，作为苹果的重要合作伙伴，台积电方面证实，苹果 M1 Ultra 芯片其实并未采用传统的 CoWoS-S 2.5D 封装生产，而是使用了本地的芯片互连(LSI) 的集成 InFO（Integrated Fan-out）芯片。
据悉，苹果最新的 M1 系列产品基于台积电 5nm 工艺技术，虽然之前也有媒体称其通用采用了台积电 CoWoS-S（chip-on-wafer-on substrate with silicon interposer）封装工艺，不过现在台积电方面的正式可谓是让不少小伙伴们有点失望。
之所以会让大家失望，主要是因为台积电在使用其 CoWoS 封装平台为网络 IC 和超大 AI 芯片等多种芯片解决方案供应商提供服务方面拥有丰富经验，相比起本地的芯片互连 (LSI) 的集成 InFO（Integrated Fan-out）芯片可能会更加优异。

不过台积电的 InFO_LI 相比起 CoWoS-S 封装工艺可以降低成本。总的来说，CoWoS-S 是一种非常不错的方法，但要比 InFO_LI 更贵，作为商家，要控制成本也是在情理之中。
而除了这一点之外，Apple 没必要选择 CoWoS-S，毕竟 M1 Ultra 只需要完成两个 M1 Max 芯片的相互通信，而所有其他组件，包括统一的 RAM、GPU 和其他组件都是芯片中的一部分。

据半导体封装工程专业人士 Tom Wassick 放出了一张台积电在 3D IC 和异构集成国际研讨会上呈现的 PPT，阐明了其封装方法，显示苹果这次使用的 InFO_LI 技术，感兴趣的小伙伴们可以自行上网寻找哦。